0120-747-636イオン注入とは、イオン化した原子や分子を加速して固体に注入することで、固体の特性を変化させたり、表面改質を行ったりする手法の一種です。特にドーパントと呼ばれる半導体を形成するための不純物元素を注入する方法をドーピング技術といい、イオン注入のなかでも最も多く用いられている方法です。
一般的なイオン注入装置は、目的のイオンを発生させるイオン源や、必要なイオンを取り出す質量分析部、イオンを加速機で加速させる加速管、イオンビームを走査する走査部、Dose量を検出する部分など、複数の部位に分かれています。また固体にイオンを注入するエンドステーションは高真空状態になっています。
松定プレシジョンでは、イオン源に使用される高耐圧フィラメント電源、引き出し電極の高圧電源、アナライザーマグネットに使用する定電流電源、イオンを加速させるための電圧最大200kVの高圧電源、イオンビーム走査用高速高電圧バイポーラ電源、二次電子抑制用高圧電源など幅広いラインナップを有しています。
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松定プレシジョンは、イオン源に使用される高耐圧フィラメント電源、引き出し電極の高圧電源、アナライザーマグネットに使用する定電流電源、イオンを加速させるための電圧最大200kVの高圧電源、イオンビーム走査用高速高電圧バイポーラ電源、二次電子抑制用高圧電源を取りそろえています。
